IntelliEtchは、MEMS製造の重要なプロセスの一つであるウェットエッチング・DRIEをサポートするエッチングシミュレーションツールです。 キネティックモンテカルロ法(Kinetic Monte Carlo ：KMC）とセルラーオートマトン法を用いたアルゴリズムを用い、各時間経過でのSi表面を確認することが可能です。 Siの結晶面(100,110,111)を考慮した面方位エッチングはもちろん、販売されているエッチングシミュレーションソフトでは唯一、単結晶シリコンのエッチング液に添加物を加えた場合の エッチングシミュレーションを行うことが可能です。 また、ユーザーフレンドリーなインターフェースや強力な結果処理機能を有しているので、エッチング表面の原子構造、プロセスのステップフロー性質、エッチングされた表面の物理的挙動の ような主要な特性を容易に理解することが可能です。 エッチングレートのデータベースはエッチング業界のパイオニアある名古屋大学の佐藤一雄教授から提供していただいている信頼性の高いデータを使用しています。

IntelliEtch C (IEC)：
CPUベースのシミュレータでキネティックモンテカルロ法（KMC）とセルラーオートマトン法でエッチングシミュレーションを行うことが可能。

IntelliEtch G (IEG)：
GPUベースのシミュレータでセルラーオートマトン法を用いてエッチングシミュレーションを行い、GPUを使用して計算を行うので高速にシミュレーションを行うことが可能。

Wagon Wheel Analyzer(WWA)：
実験でのエッチングレートを抽出するための機能。110,100面のSilicon Wagon Wheelを光学画像から取込むことが可能なので、実験値を簡易に反映させることが可能。

Etch Rate Visualizer(ERV)：
エッチレートの可視化を行うことが可能。測定したエッチレートのデータベース化機能

エッチング液に添加物を加えた場合のエッチングシミュレーションは、現在(2011年4月現在)、IntelliEtchでのみシミュレーションを行うことが可能です。 エッチング液中に添加物を加えるウェットエッチングは名古屋大学の佐藤先生が近年発表した新しい知見のウェットエッチングです。

事例紹介(水晶)：
IntelliEtchでは水晶のエッチングシミュレーションを行うことが可能です。